FP50R12N2T7BPSA2 IGBT, 50 A 1200 V AG-ECONO2B-711
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
35 160 руб.
Кратность заказа 15 шт.
15 шт.
на сумму 527 400 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon EconoPIM 2 1200 V, 50 A three phase PIM IGBT module with TRENCHSTOP IGBT7, emitter controlled 7 diode and NTC.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 50 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Package Type | AG-ECONO2B-711 |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 50А |
| DC Ток Коллектора | 50А |
| Выводы БТИЗ | Solder |
| Конфигурация БТИЗ | PIM Three Phase Input Rectifier |
| Линейка Продукции | TRENCHSTOP EconoPIM 2 Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 175°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.5В |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT7-T7(Trench Stop) |
Техническая документация
Datasheet FP50R12N2T7BPSA1
pdf, 637 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
