FS50R12KE3BPSA1 IGBT 1200 V AG-ECONO2B-311
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
48 400 руб.
1 шт.
на сумму 48 400 руб.
Плати частями
от 12 100 руб. × 4 платежа
от 12 100 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon EconoPACK 2 1200 V, 50 A six-pack IGBT module with IGBT3 and NTC. Optimized customer’s development cycle time and cost
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 270 W |
| Package Type | AG-ECONO2B-311 |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 75А |
| DC Ток Коллектора | 75А |
| Power Dissipation | 270Вт |
| Конфигурация БТИЗ | Six Pack |
| Линейка Продукции | EconoPACK 2 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.7В |
| Рассеиваемая Мощность | 270Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 189 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
