IKFW50N60DH3EXKSA1 IGBT PG-TO247-3-AI
![Фото 1/2 IKFW50N60DH3EXKSA1 IGBT PG-TO247-3-AI](https://static.chipdip.ru/lib/826/DOC044826061.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/936/DOC017936359.jpg)
1 560 руб.
Кратность заказа 30 шт.
Добавить в корзину 30 шт.
на сумму 46 800 руб.
Плати частями
от 11 700 руб. × 4 платежа
от 11 700 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon high speed switching 600 V, 40 A third generation TRENCHSTOP IGBT co-packed with rapid 1 fast and soft antiparallel diode in a TO-247 advanced isolation package for a best cost efficient solution.
Технические параметры
Maximum Power Dissipation | 130 W |
Package Type | PG-TO247-3-AI |
Brand: | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.2 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 40 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 60 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 240 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO247-3 |
Packaging: | Tube |
Part # Aliases: | IKFW50N60DH3E SP001502656 |
Pd - Power Dissipation: | 130 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Series: | Trenchstop High Speed 3 |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Tradename: | TRENCHSTOP |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем