IKFW50N60DH3EXKSA1 IGBT PG-TO247-3-AI
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 200 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 200 руб.
Плати частями
от 550 руб. × 4 платежа
от 550 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon high speed switching 600 V, 40 A third generation TRENCHSTOP IGBT co-packed with rapid 1 fast and soft antiparallel diode in a TO-247 advanced isolation package for a best cost efficient solution.
Технические параметры
| Maximum Power Dissipation | 130 W |
| Package Type | PG-TO247-3-AI |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.2 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 40 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 60 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 240 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Part # Aliases: | IKFW50N60DH3E SP001502656 |
| Pd - Power Dissipation: | 130 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | Trenchstop High Speed 3 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | TRENCHSTOP |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
