IKW40N65ET7XKSA1 IGBT 650 V PG-TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 660 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 660 руб.
Плати частями
от 415 руб. × 4 платежа
от 415 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon hard-switching 650 V, 40 A TRENCHSTOP IGBT7 discrete in TO-247 package with soft EC7 diode inside.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Package Type | PG-TO247-3 |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.35 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 76 A |
| Factory Pack Quantity: | 240 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Part # Aliases: | IKW40N65ET7 SP005403468 |
| Pd - Power Dissipation: | 230.8 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
