IKW50N65ET7XKSA1 IGBT 650 V PG-TO247-3
![Фото 1/2 IKW50N65ET7XKSA1 IGBT 650 V PG-TO247-3](https://static.chipdip.ru/lib/826/DOC044826070.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/396/DOC043396185.jpg)
1 300 руб.
Кратность заказа 30 шт.
Добавить в корзину 30 шт.
на сумму 39 000 руб.
Плати частями
от 9 750 руб. × 4 платежа
от 9 750 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon hard-switching 650 V, 50 A TRENCHSTOP IGBT7 discrete in TO-247 package with soft EC7 diode inside.
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Package Type | PG-TO247-3 |
Brand: | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.35 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |
Factory Pack Quantity: | 240 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package/Case: | TO-247-3 |
Packaging: | Tube |
Part # Aliases: | IKW50N65ET7 SP005348292 |
Pd - Power Dissipation: | 273 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем