IKP15N65H5XKSA1 IGBT Transistor Module, 30 A 650 V PG-TO220-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
950 руб.
Кратность заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 1 900 руб.
Плати частями
от 475 руб. × 4 платежа
от 475 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon high speed switching series fifth generation, It is high speed H5 technology offering. It is plug and play replacement of previous generation IGBTs and qualified according to JEDEC for target applications.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 30 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 105 W |
| Package Type | PG-TO220-3 |
Техническая документация
Datasheet IKP15N65H5
pdf, 2351 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
