N-Channel MOSFET, 115 A, 60 V DPAK RD3L07BBGTL1
![N-Channel MOSFET, 115 A, 60 V DPAK RD3L07BBGTL1](https://static.chipdip.ru/lib/159/DOC031159543.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2486 шт., срок 6 недель
600 руб.
Кратность заказа 2 шт.
2 шт.
на сумму 1 200 руб.
Плати частями
от 300 руб. × 4 платежа
от 300 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM N channel power MOSFET has low on resistance and has maximum power dissipation of 102 Watts.
Технические параметры
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 115 A |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | TO-252 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2774 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.