N-Channel MOSFET, 115 A, 60 V DPAK RD3L07BBGTL1

N-Channel MOSFET, 115 A, 60 V DPAK RD3L07BBGTL1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2486 шт., срок 6 недель
600 руб.
Кратность заказа 2 шт.
2 шт. на сумму 1 200 руб.
Плати частями
от 300 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8030977193
Артикул: RD3L07BBGTL1
Бренд: Rohm

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM N channel power MOSFET has low on resistance and has maximum power dissipation of 102 Watts.

Технические параметры

Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 115 A
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Mounting Type Surface Mount
Package Type TO-252

Техническая документация

Datasheet
pdf, 2774 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.