N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V HSOP8 RS6G100BGTB1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2500 шт., срок 6 недель
240 руб.
Кратность заказа 2500 шт.
2500 шт.
на сумму 600 000 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM N channel power MOSFET has low on resistance and has maximum power dissipation of 59 Watts. It comes in high power small mould package HSOP8 and is used for switching applications.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | HSOP8 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2872 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
