Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Rohm › N-Channel MOSFET, 4 A, 600 V, 3-Pin DPAK ...

N-Channel MOSFET, 4 A, 600 V, 3-Pin DPAK R6004END3TL1

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2500 шт., срок 6 недель

570 руб.

Кратность заказа 5 шт.

5 шт. на сумму 2 850 руб.

Плати частями
от 714 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8030984152

Артикул: R6004END3TL1

Бренд: Rohm

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs

The ROHM low-noise power MOSFET is suitable for switching power supply, it is low on-resistance, low radiation noise and Pb-free plating and RoHS compliant.

Технические параметры

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	4 A
Maximum Drain Source Voltage	600 V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-252
Pin Count	3
Transistor Material	Si
Id - непрерывный ток утечки	4 A
Pd - рассеивание мощности	59 W
Qg - заряд затвора	15 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	980 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	22 ns
Время спада	40 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	2500
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	55 ns
Типичное время задержки при включении	22 ns
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок	TO-252-3