P-Channel MOSFET, 16 A, 45 V, 3-Pin DPAK RD3H160SPTL1

Фото 1/2 P-Channel MOSFET, 16 A, 45 V, 3-Pin DPAK RD3H160SPTL1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2145 шт., срок 6 недель
330 руб.
Кратность заказа 5 шт.
5 шт. на сумму 1 650 руб.
Плати частями
от 414 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8030984172
Артикул: RD3H160SPTL1
Бренд: Rohm

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM power MOSFET with low on resistance, suitable for switching, it is drive circuits can be simple and Pb-free plating and RoHS compliant.

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type P
Maximum Continuous Drain Current 16 A
Maximum Drain Source Voltage 45 V
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-252
Pin Count 3
Transistor Material Si
Brand: ROHM Semiconductor
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: 2500
Fall Time: 50 ns
Id - Continuous Drain Current: 16 A
Manufacturer: ROHM Semiconductor
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package/Case: DPAK-3(TO-252-3)
Part # Aliases: RD3H160SP
Pd - Power Dissipation: 20 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 16 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 35 mOhms
Rise Time: 22 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: P-Channel
Transistor Type: 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 90 ns
Typical Turn-On Delay Time: 13 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 45 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3 V

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1542 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.