N-Channel MOSFET, 5 A, 60 V, 3-Pin DPAK RD3L050SNTL1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2340 шт., срок 6 недель
260 руб.
Кратность заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 1 300 руб.
Плати частями
от 325 руб. × 4 платежа
от 325 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM power MOSFET with low on resistance, suitable for switching, it is drive circuits can be simple and Pb-free plating and RoHS compliant.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 5 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-252 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Material | Si |
| Drain Source On State Resistance | 0.078Ом |
| Power Dissipation | 15Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Непрерывный Ток Стока | 5А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 15Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.078Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
