N-Channel MOSFET, 8 A, 60 V, 3-Pin DPAK RD3L080SNTL1

Фото 1/2 N-Channel MOSFET, 8 A, 60 V, 3-Pin DPAK RD3L080SNTL1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2410 шт., срок 6 недель
290 руб.
Кратность заказа 10 шт.
10 шт. на сумму 2 900 руб.
Плати частями
от 725 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8030984174
Артикул: RD3L080SNTL1
Бренд: Rohm

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM power MOSFET with low on resistance, suitable for switching, it is drive circuits can be simple and Pb-free plating and RoHS compliant.

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 8 A
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-252
Pin Count 3
Transistor Material Si
Drain Source On State Resistance 0.057Ом
Power Dissipation 15Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 60В
Непрерывный Ток Стока
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs 2.5В
Рассеиваемая Мощность 15Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.057Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-252(DPAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1525 КБ
Datasheet
pdf, 1596 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.