N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V, 3-Pin DPAK RD3P200SNTL1
![Фото 1/3 N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V, 3-Pin DPAK RD3P200SNTL1](https://static.chipdip.ru/lib/220/DOC026220514.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/523/DOC006523444.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172283.jpg)
2495 шт., срок 6 недель
780 руб.
Кратность заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 3 900 руб.
Плати частями
от 975 руб. × 4 платежа
от 975 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM power MOSFET with low on resistance, suitable for switching, it is drive circuits can be simple and Pb-free plating and RoHS compliant.
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-252 |
Pin Count | 3 |
Transistor Material | Si |
Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
Pd - рассеивание мощности | 20 W |
Qg - заряд затвора | 55 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 46 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 35 ns |
Время спада | 100 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | RD3P |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 150 ns |
Типичное время задержки при включении | 100 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Drain Source On State Resistance | 0.033Ом |
Power Dissipation | 20Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
Непрерывный Ток Стока | 20А |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
Рассеиваемая Мощность | 20Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.033Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Техническая документация
Datasheet RD3P200SNTL1
pdf, 1626 КБ
Datasheet RD3P200SNTL1
pdf, 1628 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.