N-Channel MOSFET, 2.5 A, 30 V, 3-Pin SOT-346T RQ5E025TNTL

Фото 1/2 N-Channel MOSFET, 2.5 A, 30 V, 3-Pin SOT-346T RQ5E025TNTL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3000 шт., срок 6 недель
56 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
3000 шт. на сумму 168 000 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8030984182
Артикул: RQ5E025TNTL
Бренд: Rohm

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM small signal MOSFET is a MOSFET for switching applications, this is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 2.5 A
Maximum Drain Source Voltage 30 V
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-346T
Pin Count 3
Transistor Material Si
Brand: ROHM Semiconductor
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Fall Time: 10 ns
Id - Continuous Drain Current: 2.5 A
Manufacturer: ROHM Semiconductor
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: SOT-346-3
Packaging: Reel, Cut Tape
Part # Aliases: RQ5E025TN
Pd - Power Dissipation: 1 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 3.3 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 92 mOhms
Rise Time: 15 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 25 ns
Typical Turn-On Delay Time: 9 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -12 V, +12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 500 mV

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1541 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.