N-Channel MOSFET, 4.5 A, 30 V, 6-Pin SOT-457T RSQ045N03HZGTR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2390 шт., срок 6 недель
140 руб.
Кратность заказа 10 шт.
10 шт.
на сумму 1 400 руб.
Плати частями
от 350 руб. × 4 платежа
от 350 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM small signal MOSFET is a MOSFET for switching applications, this is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.5 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-457T |
| Pin Count | 6 |
| Transistor Material | Si |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.5 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1.25 W |
| Qg - заряд затвора | 6.8 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 38 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 19 ns |
| Время спада | 14 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3.5 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 41 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SC-95-6 |
| Drain Source On State Resistance | 0.027Ом |
| Power Dissipation | 1.25Вт |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 4.5А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 1.25Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.027Ом |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TSMT |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
