P-Channel MOSFET, 2 A, 45 V, 3-Pin SOT-346T RSR020P05HZGTL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2275 шт., срок 6 недель
150 руб.
Кратность заказа 25 шт.
25 шт.
на сумму 3 750 руб.
Плати частями
от 939 руб. × 4 платежа
от 939 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM small signal MOSFET is the high reliability automotive grade transistor, suitable for switching applications, it is small surface mount package.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 2 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 45 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-346T |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Material | Si |
| Drain Source On State Resistance | 0.13Ом |
| Power Dissipation | 1Вт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 45В |
| Непрерывный Ток Стока | 2А |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 1Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.13Ом |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TSMT |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 10 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 1.2 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SC-96-3 |
| Part # Aliases: | RSR020P05HZG |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 4.5 nC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 190 mOhms |
| Rise Time: | 10 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 45 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1601 КБ
Datasheet RSR020P05HZGTL
pdf, 1673 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
