P-Channel MOSFET, 2.5 A, 20 V, 3-Pin SOT-346T RTR025P02HZGTL
![Фото 1/3 P-Channel MOSFET, 2.5 A, 20 V, 3-Pin SOT-346T RTR025P02HZGTL](https://static.chipdip.ru/lib/410/DOC031410210.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/573/DOC006573127.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/131/DOC021131568.jpg)
2690 шт., срок 6 недель
170 руб.
Кратность заказа 10 шт.
10 шт.
на сумму 1 700 руб.
Плати частями
от 425 руб. × 4 платежа
от 425 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM small signal MOSFET is the high reliability automotive grade transistor, suitable for switching applications, it is small surface mount package.
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Maximum Continuous Drain Current | 2.5 A |
Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-346T |
Pin Count | 3 |
Transistor Material | Si |
Id - непрерывный ток утечки | 2.5 A |
Pd - рассеивание мощности | 1 W |
Qg - заряд затвора | 7 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 95 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 18 ns |
Время спада | 20 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.3 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | P-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 P-Channel |
Типичное время задержки выключения | 50 ns |
Типичное время задержки при включении | 12 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | SC-96-3 |
Drain Source On State Resistance | 0.07Ом |
Power Dissipation | 1Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
Непрерывный Ток Стока | 2.5А |
Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
Рассеиваемая Мощность | 1Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.07Ом |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Стиль Корпуса Транзистора | TSMT |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.