P-Channel MOSFET, 3 A, 20 V, 3-Pin SOT-346T RTR030P02HZGTL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2990 шт., срок 6 недель
210 руб.
Кратность заказа 10 шт.
10 шт.
на сумму 2 100 руб.
Плати частями
от 525 руб. × 4 платежа
от 525 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM small signal MOSFET is a MOSFET with low on resistance for automotive, suitable for switching, it is small surface mount package.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 3 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-346T |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Material | Si |
| Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Qg - заряд затвора | 9.3 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 75 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 20 ns |
| Время спада | 20 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.5 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 50 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SC-96-3 |
| Drain Source On State Resistance | 0.055Ом |
| Power Dissipation | 1Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Непрерывный Ток Стока | 3А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Рассеиваемая Мощность | 1Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.055Ом |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TSMT |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
