N-Channel MOSFET, 4 A, 20 V, 3-Pin SOT-346T RUR040N02HZGTL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2990 шт., срок 6 недель
190 руб.
Кратность заказа 10 шт.
10 шт.
на сумму 1 900 руб.
Плати частями
от 475 руб. × 4 платежа
от 475 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM small signal MOSFET is a MOSFET for switching applications, this is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-346T |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Material | Si |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 60 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 5 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 4 A |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | SC-96-6 |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 8 nC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 35 mOhms |
| Rise Time: | 30 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 50 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +10 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.3 V |
| Drain Source On State Resistance | 0.025Ом |
| Power Dissipation | 1Вт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Непрерывный Ток Стока | 4А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.3В |
| Рассеиваемая Мощность | 1Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.025Ом |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TSMT |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
