N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V, 3-Pin DPAK R6013VND3TL1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2455 шт., срок 6 недель
580 руб.
Кратность заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 2 900 руб.
Плати частями
от 725 руб. × 4 платежа
от 725 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM power MOSFET with a low on resistance and high power package which is suitable for switching circuits, single cell battery applications and mobile applications.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 13 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-252 |
| Pin Count | 3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2258 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
