N-Channel MOSFET, 3 A, 20 V, 3-Pin SMM1006 RA1C030LDT5CL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
19950 шт., срок 6 недель
65 руб.
Кратность заказа 25 шт.
25 шт.
на сумму 1 625 руб.
Плати частями
от 407 руб. × 4 платежа
от 407 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM MOSFETs with a low on resistance and high power package which is suitable for switching circuits, single cell battery applications and mobile applications.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 3 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SMM1006 |
| Pin Count | 3 |
| Drain Source On State Resistance | 0.08Ом |
| Power Dissipation | 1Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Непрерывный Ток Стока | 3А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.5В |
| Стиль Корпуса Транзистора | DSN1006 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 5308 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
