N-Channel MOSFET, 50 A, 6 V, 3-Pin DPAK RD3R02BBHTL1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2500 шт., срок 6 недель
360 руб.
Кратность заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 1 800 руб.
Плати частями
от 450 руб. × 4 платежа
от 450 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for switching. Pb free plating
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-252 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Material | Si |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2744 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
