N-Channel MOSFET, 6 A, 100 V, 8-Pin HUML2020L8 RF4P060BGTCR

N-Channel MOSFET, 6 A, 100 V, 8-Pin HUML2020L8 RF4P060BGTCR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3000 шт., срок 6 недель
150 руб.
Кратность заказа 10 шт.
10 шт. на сумму 1 500 руб.
Плати частями
от 375 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8030987862
Артикул: RF4P060BGTCR
Бренд: Rohm

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM power MOSFET with low-on resistance and high power small mould package, suitable for switching.

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 6 A
Maximum Drain Source Voltage 100 V
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type HUML2020L8
Pin Count 8
Transistor Material Si

Техническая документация

Datasheet
pdf, 2791 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.