N-Channel MOSFET, 6 A, 100 V, 8-Pin HUML2020L8 RF4P060BGTCR
![N-Channel MOSFET, 6 A, 100 V, 8-Pin HUML2020L8 RF4P060BGTCR](https://static.chipdip.ru/lib/902/DOC044902991.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3000 шт., срок 6 недель
150 руб.
Кратность заказа 10 шт.
10 шт.
на сумму 1 500 руб.
Плати частями
от 375 руб. × 4 платежа
от 375 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM power MOSFET with low-on resistance and high power small mould package, suitable for switching.
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 6 A |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | HUML2020L8 |
Pin Count | 8 |
Transistor Material | Si |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2791 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.