N-Channel MOSFET, 25 A, 150 V, 8-Pin HSMT8 RH6R025BHTB1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3000 шт., срок 6 недель
370 руб.
Кратность заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 1 850 руб.
Плати частями
от 464 руб. × 4 платежа
от 464 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM power MOSFET with low-on resistance and high power small mould package, suitable for switching.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 25 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | HSMT8 |
| Pin Count | 8 |
| Transistor Material | Si |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2821 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
