N-Channel MOSFET, 270 A, 40 V, 3-Pin TO-220AB RX3G18BBGC16
![N-Channel MOSFET, 270 A, 40 V, 3-Pin TO-220AB RX3G18BBGC16](https://static.chipdip.ru/lib/902/DOC044902879.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1000 шт., срок 6 недель
1 190 руб.
Кратность заказа 1000 шт.
1000 шт.
на сумму 1 190 000 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for switching. Pb free plating
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 270 A |
Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220AB |
Pin Count | 3 |
Transistor Material | Si |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2814 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.