N-Channel MOSFET, 270 A, 40 V, 3-Pin TO-220AB RX3G18BBGC16
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1000 шт., срок 6 недель
1 870 руб.
1 шт.
на сумму 1 870 руб.
Плати частями
от 469 руб. × 4 платежа
от 469 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for switching. Pb free plating
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 270 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Material | Si |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2814 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
