FP25R12KT4BPSA1 Common Emitter IGBT, 25 A 1200 V, 23-Pin, Panel Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
32 740 руб.
Кратность заказа 15 шт.
Добавить в корзину 15 шт.
на сумму 491 100 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon three phase IGBT module with fast TRENCHSTOP IGBT4, emitter controlled 4 diode and NTC. It is available as variation with PressFIT mounting technology.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | Common Emitter |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 25 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 160 W |
| Mounting Type | Panel Mount |
| Number of Transistors | 7 |
| Pin Count | 23 |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.85 V |
| Configuration: | 3-Phase Inverter |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 25 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 15 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Packaging: | Tray |
| Part # Aliases: | FP25R12KT4 SP005422446 |
| Pd - Power Dissipation: | 160 W |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Product: | IGBT Silicon Modules |
| Series: | FPXR12K4G |
| Subcategory: | IGBTs |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 987 КБ
Datasheet FP25R12KT4BPSA1
pdf, 813 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
