FP25R12KT4BPSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
40 250 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 40 250 руб.
Плати частями
от 10 064 руб. × 4 платежа
от 10 064 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon three phase IGBT module with fast TRENCHSTOP IGBT4, emitter controlled 4 diode and NTC. It is available as variation with PressFIT mounting technology.
Технические параметры
Brand: | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.85 V |
Configuration: | 3-Phase Inverter |
Continuous Collector Current at 25 C: | 25 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 15 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Packaging: | Tray |
Part # Aliases: | FP25R12KT4 SP005422446 |
Pd - Power Dissipation: | 160 W |
Product Category: | IGBT Modules |
Product Type: | IGBT Modules |
Product: | IGBT Silicon Modules |
Series: | FPXR12K4G |
Subcategory: | IGBTs |
Channel Type | N |
Configuration | Common Emitter |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 25 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Power Dissipation | 160 W |
Mounting Type | Panel Mount |
Number of Transistors | 7 |
Pin Count | 23 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 987 КБ
Datasheet FP25R12KT4BPSA1
pdf, 813 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем