IKFW75N65ES5XKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 450 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 450 руб.
Плати частями
от 864 руб. × 4 платежа
от 864 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon IGBT discrete in TO-247 advanced isolation package addresses applications switching between 10 kHz and 40 kHz and due to high controllability and smooth switching behaviour delivers not only high efficiency but easy design in, faster time to
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.35В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 80А |
| Power Dissipation | 148Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TRENCHSTOP 5 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | HSIP247 |
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 60 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 V, ±30V |
| Maximum Power Dissipation | 148 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | HSIP247 |
| Pin Count | 3 |
Техническая документация
Datasheet IKFW75N65ES5XKSA1
pdf, 1523 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
