BGA7H1N6E6327XTSA1 , RF Amplifier Low Noise Amplifier, 12.5 dB 2690 MHz, 6-Pin TSNP-6-2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
290 руб.
Кратность заказа 10 шт.
10 шт.
на сумму 2 900 руб.
Плати частями
от 725 руб. × 4 платежа
от 725 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Amplifiers & Comparators\RF Amplifiers ICs
The Infineon RF Amplifier is a front end low noise amplifier for LTE which covers a wide frequency range from 2300 MHz to 2690 MHz.
Технические параметры
| Amplifier Type | Low Noise Amplifier |
| Maximum Operating Frequency | 2690 MHz |
| Number of Channels per Chip | 1 |
| Package Type | TSNP-6-2 |
| Pin Count | 6 |
| Typical Noise Figure | 0.6dB |
| Typical Power Gain | 12.5 dB |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 85 C |
| Максимальная Частота | 2.69ГГц |
| Максимальное Напряжение Питания | 3.3В |
| Минимальная Рабочая Температура | -40 C |
| Минимальная Частота | 2.3ГГц |
| Минимальное Напряжение Питания | 1.5В |
| Стиль Корпуса Радиочастотной Микросхемы | TSNP |
| Типичное Значение Коэффициента Шума | 0.65дБ |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Усиление | 12.5дБ |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1301 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «ВЧ усилители»
Типы корпусов импортных микросхем
