BGA7L1BN6E6327XTSA1 , RF Amplifier Low Noise Amplifier, 13.6 dB 960 MHz, 6-Pin TSNP-6-2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
210 руб.
Кратность заказа 10 шт.
10 шт.
на сумму 2 100 руб.
Плати частями
от 525 руб. × 4 платежа
от 525 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Amplifiers & Comparators\RF Amplifiers ICs
The Infineon RF Amplifier is a front end low noise amplifier for LTE which covers a wide frequency range from 716 MHz to 960 MHz.
Технические параметры
| Amplifier Type | Low Noise Amplifier |
| Maximum Operating Frequency | 960 MHz |
| Number of Channels per Chip | 1 |
| Package Type | TSNP-6-2 |
| Pin Count | 6 |
| Typical Noise Figure | 0.75dB |
| Typical Power Gain | 13.6 dB |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 85°C |
| Максимальная Частота | 960МГц |
| Максимальное Напряжение Питания | 3.6В |
| Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
| Минимальная Частота | 716МГц |
| Минимальное Напряжение Питания | 1.5В |
| Стиль Корпуса Радиочастотной Микросхемы | TSNP |
| Типичное Значение Коэффициента Шума | 0.75дБ |
| Усиление | 13.6дБ |
Техническая документация
Datasheet BGA7L1BN6E6327XTSA1
pdf, 1161 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «ВЧ усилители»
Типы корпусов импортных микросхем
