FF450R17ME4BOSA1 Dual IGBT, 450 A 1700 V, 7-Pin, Panel Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
91 770 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 91 770 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon IGBT module is available with fast TRENCHSTOP ™ IGBT4 and emitter controlled 3 diode and NTC.
Технические параметры
| Configuration | Dual |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1700 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 450 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 kW |
| Mounting Type | Panel Mount |
| Pin Count | 7 |
| Automotive | No |
| Channel Type | N |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 1700 |
| Maximum Continuous Collector Current (A) | 600 |
| Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.4 |
| Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Mounting | Screw |
| Packaging | Tray |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 11 |
| PPAP | No |
| Supplier Package | ECONOD-3 |
| Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 1.95 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 884 КБ
Datasheet FF450R17ME4BOSA1
pdf, 597 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
