FP150R12KT4BPSA1 3 Phase Bridge IGBT, 150 A 1200 V, Panel Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
86 420 руб.
1 шт.
на сумму 86 420 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon IGBT module is available with fast TRENCHSTOP ™ IGBT4 and emitter controlled 4 diode and NTC.
Технические параметры
| Configuration | 3 Phase Bridge |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 150 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 20 mW |
| Mounting Type | Panel Mount |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.75В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 150А |
| DC Ток Коллектора | 150А |
| Power Dissipation | - |
| Выводы БТИЗ | Solder |
| Количество Выводов | 43вывод(-ов) |
| Конфигурация БТИЗ | PIM Three Phase Input Rectifier |
| Линейка Продукции | EconoPIM 3 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.75В |
| Рассеиваемая Мощность | - |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
Техническая документация
Datasheet FP150R12KT4BPSA1
pdf, 749 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
