FP30R06KE3BPSA1 IGBT 600 V AG-ECONO2C-311
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
42 170 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 42 170 руб.
Плати частями
от 10 544 руб. × 4 платежа
от 10 544 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon EconoPIM 2 600 V, 30 A three-phase IGBT module with Trench/Field stop IGBT3, emitter controlled 3 diode and NTC.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Package Type | AG-ECONO2C-311 |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.55В |
| Collector Emitter Voltage Max | 600В |
| Continuous Collector Current | 37А |
| DC Ток Коллектора | 37А |
| Power Dissipation | 125Вт |
| Выводы БТИЗ | Solder |
| Конфигурация БТИЗ | PIM |
| Линейка Продукции | EconoPIM 2 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 175 C |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 600В |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.55В |
| Рассеиваемая Мощность | 125Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 3(Trench/Field Stop) |
Техническая документация
Datasheet FP30R06KE3BOSA1
pdf, 642 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
