IGB15N65S5ATMA1 IGBT PG-TO263-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
710 руб.
Кратность заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 1 420 руб.
Плати частями
от 355 руб. × 4 платежа
от 355 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon 650 V, 15 A high speed switching TRENCHSTOP 5 in D2Pak package single IGBT, addressing applications switching between 10 kHz and 40 kHz to deliver high efficiency, faster time-to-market cycles, circuit design complexity reduction and PCB bill of material cost optimization.
Технические параметры
| Maximum Power Dissipation | 105 W |
| Package Type | PG-TO263-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 105 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | IGB15N65S5 SP001502560 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.35 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 35 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 35 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.35В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 35А |
| Power Dissipation | 105Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TRENCHSTOP 5 |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
