IKW40N65ES5XKSA1 Single IGBT, 79 A 650 V PG-TO247-3

Фото 1/3 IKW40N65ES5XKSA1 Single IGBT, 79 A 650 V PG-TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 690 руб.
Кратность заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 3 380 руб.
Плати частями
от 845 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8031013328
Артикул: IKW40N65ES5XKSA1

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon hard switching TRENCHSTOP 5 S5 IGBT in a TO247 package addresses applications switching between 10 kHz and 40 kHz to deliver high efficiency, faster time-to-market cycles, circuit design complexity reduction and PCB bill of material cost optimization.

Технические параметры

Configuration Single
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
Maximum Continuous Collector Current 79 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Power Dissipation 230 W
Package Type PG-TO247-3
Collector Emitter Saturation Voltage 1.35В
Collector Emitter Voltage Max 650В
Continuous Collector Current 79А
Power Dissipation 230Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции TRENCHSTOP(TM)5
Максимальная Рабочая Температура 175 C
Стиль Корпуса Транзистора TO-247
Automotive No
Channel Type N
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lead Shape Through Hole
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 650
Maximum Continuous Collector Current (A) 79
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) 0.1
Maximum Gate Emitter Voltage (V) ±20
Maximum Operating Temperature (°C) 175
Maximum Power Dissipation (mW) 230
Minimum Operating Temperature (°C) -40
Mounting Through Hole
Packaging Tube
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 3
PPAP No
Standard Package Name TO-247
Supplier Package TO-247
Tab Tab
Technology Trench Stop 5
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) 1.35

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1916 КБ
Datasheet
pdf, 2065 КБ
Datasheet IKW40N65ES5
pdf, 1919 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем