N-Channel MOSFET, 90 A, 60 V HSOP8 RS6L090BGTB1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2500 шт., срок 6 недель
290 руб.
Кратность заказа 2500 шт.
2500 шт.
на сумму 725 000 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM N channel power MOSFET has low on resistance and has maximum power dissipation of 73 watts. It comes in high power package HSOP8 and is used for switching applications.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 90 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | HSOP8 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2867 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
