IKW50N120CH7XKSA1 IGBT, 50 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
![IKW50N120CH7XKSA1 IGBT, 50 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole](https://static.chipdip.ru/lib/020/DOC045020386.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 960 руб.
Кратность заказа 30 шт.
Добавить в корзину 30 шт.
на сумму 58 800 руб.
Плати частями
от 14 700 руб. × 4 платежа
от 14 700 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon IGBT7 H7 discrete in TO-247 3pin package technology has been developed to fulfill the demand in applications focusing on decarbonisation such as solar photovoltaic, uninterruptible power supplies and battery chargers.
Технические параметры
Channel Type | N |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 50 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 V, ±30V |
Maximum Power Dissipation | 398 W |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1437 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем