IKW50N120CH7XKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 000 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 000 руб.
Плати частями
от 750 руб. × 4 платежа
от 750 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon IGBT7 H7 discrete in TO-247 3pin package technology has been developed to fulfill the demand in applications focusing on decarbonisation such as solar photovoltaic, uninterruptible power supplies and battery chargers.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 50 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 V, ±30V |
| Maximum Power Dissipation | 398 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1437 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
