FGHL75T65LQDT IGBT, 80 A 650 V TO-247-3L
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 270 руб.
Кратность заказа 450 шт.
Добавить в корзину 450 шт.
на сумму 571 500 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The ON Semiconductor 650 V, 75 A FS4 low Vce(sat) IGBT. This offer the optimum performance by balancing Vce(sat) and Eoff losses and well controllable turnoff Vce overshoot.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
| Maximum Power Dissipation | 469 W |
| Number of Transistors | 30 |
| Package Type | TO-247-3L |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 336 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
