IGP30N60H3XKSA1 IGBT, 60 A 600 V, 3-Pin PG-TO220-3, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
780 руб.
Кратность заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 1 560 руб.
Плати частями
от 390 руб. × 4 платежа
от 390 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon IGBT is a high speed IGBT in Trench and Field stop technology. This IGBT has 175 degree Celsius maximum junction temperature and qualified according to JEDEC for target applications.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 60 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
| Maximum Power Dissipation | 187 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | PG-TO220-3 |
| Pin Count | 3 |
Техническая документация
Datasheet IGP30N60H3
pdf, 2105 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
