NCP5106BDR2G, Полумост, 250 мА, 10-20 В, 500 мА, SOIC-8-150mI, ИС привода затвора

170 руб.
от 10 шт.150 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 170 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Посмотреть аналоги3
Номенклатурный номер: 8031103484
Артикул: NCP5106BDR2G

Описание

Микросхемы
Half Bridge 2 250mA 85ns 35ns 10V~20V 500mA SOIC-8-150mil Gate Drive ICs ROHS

Технические параметры

Driven Configuration Half Bridge
Fall Time 35ns
Load Type IGBT;MOSFET
Number of Drivers 2
Operating Temperature -40℃~+125℃@(Tj)
Peak Output Current(sink) 500mA
Peak Output Current(source) 250mA
Rise Time 85ns
Supply Voltage 10V~20V
Вес, г 0.21

Техническая документация

Datasheet
pdf, 124 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем