2SA1386, Транзистор биполярный BJT TO-3PN
8 шт. со склада г.Москва
210 руб.
1 шт.
на сумму 210 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы
TO-3PN Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 15A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100uA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 180V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 2V@500mA, 5A |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 50@5A, 4V |
| Power Dissipation (Pd) | 130W |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 40MHz |
| Вес, г | 6.91 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
