IXDI609SI, Gate Drivers 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
850 руб.
от 10 шт. —
640 руб.
от 100 шт. —
489 руб.
от 200 шт. —
469.63 руб.
1 шт.
на сумму 850 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Power\Power Management ICs\Gate Drivers
Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC-EP
Технические параметры
| California Prop 65 | Warning Information |
| Channel Type | Single |
| Current - Peak Output (Source, Sink) | 9A, 9A |
| Driven Configuration | Low-Side |
| ECCN | EAR99 |
| Gate Type | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
| Input Type | Inverting |
| Logic Voltage - VIL, VIH | 0.8V, 3V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Drivers | 1 |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154"", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Rise / Fall Time (Typ) | 22ns, 15ns |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | 8-SOIC-EP |
| Voltage - Supply | 4.5V ~ 35V |
| Fall Time | 15ns |
| Load Type | IGBT;MOSFET |
| Peak Output Current(sink) | 9A |
| Peak Output Current(source) | 9A |
| Rise Time | 22ns |
| Supply Voltage | 4.5V~35V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 288 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы прочие»
Типы корпусов импортных микросхем
