NTE30051, Infrared Phototransistor 900nm 3mm Vceo=30V
![NTE30051, Infrared Phototransistor 900nm 3mm Vceo=30V](https://static.chipdip.ru/lib/612/DOC044612076.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 шт., срок 6 недель
140 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 140 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Optoelectronics\Photoelement\Phototransistors
Технические параметры
Active area | 0.19mm2 |
Collector-emitter voltage | 30V |
Dark current | 0.1µA |
Front | convex |
LED diameter | 3mm |
LED lens | transparent |
Manufacturer | NTE Electronics |
Mounting | THT |
Power | 0.15W |
Turn-off time | 15µs |
Turn-on time | 15µs |
Type of photoelement | phototransistor |
Viewing angle | 20° |
Wavelength of peak sensitivity | 900nm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 55 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.