BSV52LT1G, Транзистор NPN, биполярный, 12В, 0,1А, 225мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
19 руб.
от 10 шт. —
18 руб.
1 шт.
на сумму 19 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Транзисторы
Биполярные транзисторы - BJT 100mA 12V Switching NPN
Технические параметры
| Вид | NPN |
| Тип | биполярный |
| Pd - рассеивание мощности | 225 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.94 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 12 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 400 mV |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 400 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | BSV52L |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Ширина | 1.3 mm |
| Maximum Collector Base Voltage | 20 V dc |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 12 V |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 225 mW |
| Minimum DC Current Gain | 40 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
