PDTA114ET,215, Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 180 МГц, 10 кОм+10 кОм
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
21068 шт. со склада г.Москва, срок 8-12 дней
6 руб.
5 руб.
Мин. кол-во для заказа 92 шт.
от 434 шт. —
4 руб.
от 868 шт. —
3 руб.
от 1736 шт. —
2.60 руб.
Добавить в корзину 92 шт.
на сумму 460 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения4
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные цифровые транзисторы
Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 180 МГц, 10 кОм+10 кОм
Технические параметры
| Корпус | sot-23 | |
| Base Product Number | PDTA114 -> | |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA | |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1ВµA | |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V | |
| ECCN | EAR99 | |
| HTSUS | 8541.21.0095 | |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® | |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Power - Max | 250mW | |
| REACH Status | REACH Unaffected | |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms | |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms | |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
| Supplier Device Package | TO-236AB | |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased | |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500ВµA, 10mA | |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V | |
| кол-во в упаковке | 3000 | |
| Brand: | Nexperia | |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V | |
| Configuration: | Single | |
| Continuous Collector Current: | 100 mA | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 | |
| Manufacturer: | Nexperia | |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C | |
| Mounting Style: | SMD/SMT | |
| Package / Case: | SOT-23-3 | |
| Part # Aliases: | 934031060215 | |
| Peak DC Collector Current: | 100 mA | |
| Product Category: | Bipolar Transistors-Pre-Biased | |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased | |
| Qualification: | AEC-Q101 | |
| Subcategory: | Transistors | |
| Transistor Polarity: | PNP | |
| Typical Input Resistor: | 10 kOhms | |
| Typical Resistor Ratio: | 1 | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -50 V | |
| Maximum DC Collector Current | -100 mA | |
| Maximum Emitter Base Voltage | 10 V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Minimum DC Current Gain | 30 | |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | SOT-23(TO-236AB) | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Typical Input Resistor | 10 kΩ | |
| Typical Resistor Ratio | 1 | |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 859 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 221 КБ
Datasheet
pdf, 87 КБ
Datasheet PDTA114E_SER
pdf, 849 КБ
Дополнительная информация
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
