STGWA100H65DFB2, IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT

STGWA100H65DFB2, IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
570 шт., срок 5-7 недель
2 180 руб.
от 10 шт.1 950 руб.
от 25 шт.1 680 руб.
от 100 шт.1 370.63 руб.
1 шт. на сумму 2 180 руб.
Плати частями
от 545 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8032630429
Артикул: STGWA100H65DFB2
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Unclassified

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.55В
Collector Emitter Voltage Max 650В
Continuous Collector Current 145А
Power Dissipation 441Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции HB2
Максимальная Рабочая Температура 175 C
Стиль Корпуса Транзистора TO-247

Техническая документация

Datasheet STGWA100H65DFB2
pdf, 330 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.