STGWA100H65DFB2, IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT
![STGWA100H65DFB2, IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT](https://static.chipdip.ru/lib/171/DOC012171489.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
570 шт., срок 5-7 недель
2 180 руб.
от 10 шт. —
1 950 руб.
от 25 шт. —
1 680 руб.
от 100 шт. —
1 370.63 руб.
1 шт.
на сумму 2 180 руб.
Плати частями
от 545 руб. × 4 платежа
от 545 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Unclassified
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.55В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 145А |
Power Dissipation | 441Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | HB2 |
Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Техническая документация
Datasheet STGWA100H65DFB2
pdf, 330 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.