FP100R12N2T7BPSA2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
46 950 руб.
1 шт.
на сумму 46 950 руб.
Плати частями
от 11 739 руб. × 4 платежа
от 11 739 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon three phase PIM IGBT module with TRENCHSTOP IGBT7, emitter controlled 7 diode and NTC. The PIM (Power Integrated Modules) with integration of rectifier and brake chopper enables system cost savings.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | Common Emitter |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 100 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 20 mW |
| Mounting Type | Panel Mount |
| Number of Transistors | 7 |
| Pin Count | 31 |
Техническая документация
Datasheet FP100R12N2T7BPSA1
pdf, 629 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
